Samsung informó que ya produce chips de 3 nanómetros, con unas características que le permiten mejorar el rendimiento, el consumo y el tamaño.
De acuerdo con la información oficial que difundió la fabricante de equipos electrónicos, está implementando la arquitectura de transistores ‘Gate–All–Around’ (GAA), que mejora la eficiencia energética.
Este proceso emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores. Con este esquema, los chips de 3 nanómetros no son más eficientes energéticamente sino que el rendimiento mejora en un 23%.
El diseño por sí mismo reduce el voltaje de suministro y aumenta la capacidad de corriente de la unidad. Así, esta nueva arquitectura, bautizada Multi–Bridge–Channel FET (MBCFET), supera a las anteriores, como la FinFET.
El resultado es un chip de 3 nanómetros que, comparado con sus primos de 5 nanómetros, es reduce el consumo energético en un 45%. Además, el área de la superficie también es un 16% más pequeña.
Pero estos datos son para la primera generación de chips de 3 nanómetros. Con el tiempo, vienen más avances y refinamientos para incrementar esas mejoras en 30% y 50% respectivamente.
El paso delante de Samsung en los chips de 3 nanómetros
Samsung es la primera compañía del mundo en fabricar chips de 3 nanómetros, poniéndose por delante de rivales como TSMC, que está en el proceso.
Este paso adelante asegura que los equipos de Samsung tengan esta tecnología en la segunda mitad del año 2022. Un premio que se ha ganado con el trabajo de años.
En 2021, la compañía anunció planes para invertir $132 mil millones en su negocio de chips lógicos y fundición para fines de 2030. Pero más que recursos, Samsung también aprovecha la experiencia de AMD en la fabricación de GPU para sus procesadores móviles.
